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Abschlussarbeit

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Analyse und Auslegung eines Hochvolt-Operationsverstärkers auf der Basis von Gallium Nitrid-FETs auf Silizium-Substrat

Verfasser: Roland Krebs
Betreuer: Prof. Dr.-Ing. Detlev Hackstein
Status: abgeschlossen
Jahr: 2012/2013
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